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DMT9FK010R

更新时间： 2024-11-21 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 557K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE, SSMINI5-F4-B, 5 PIN

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DMT9FK010R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.8其他特性：BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMT9FK010R 数据手册

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DMT9FK01  
Silicon epitaxial planar type (Diode)  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)  
For high speed switching circuits  
For digital circuits  
Features  
ꢀPackage  
Two elements incorporated into one package (SBD + Tr)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
ꢀCode  
SSMini5-F4-B  
Package dimension clicks here.→  
Click!  
ꢀBasic Part Number  
ꢀPin Name  
DRAQA44E + DB2S311 (Individual)  
1:Anode  
2: Base  
4: Collector  
5: Cathode  
Packaging  
3: Emitter  
DMT9FK010R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)  
ꢀMarking Symbol: X2  
ꢀInternal Connection  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
Parameter  
Reverse voltage  
Symbol  
VR  
Rating  
30  
Unit  
V
(K)  
5
(C)  
4
Repetitive peak reverse voltage  
Diode Forward current (Average)  
Peak forward current  
VRRM  
IF(AV)  
IFM  
30  
V
R1  
Di  
200  
mA  
mA  
A
Tr  
R2  
300  
Non-repetitivepeak forwardsurgecurrent*  
Collector-base voltage (Emitter open)  
IFSM  
VCBO  
VCEO  
IC  
1
1
2
3
(A)  
(B)  
(E)  
–50  
V
Tr  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
–50  
V
Resistance  
value  
R1  
R2  
47  
47  
kΩ  
kΩ  
–100  
125  
mA  
mW  
°C  
°C  
Total power dissipation *  
PT  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
125  
T
stg  
–55 to +150  
Note) : 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)  
*
Publication date: February 2012  
Ver. BED  
1
12345

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