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DMR935E10R

更新时间： 2024-09-09 14:50:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 748K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F3-B, SC-107C, 6 PIN

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DMR935E10R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F3-B, SC-107C, 6 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.78
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN FET最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：1
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1400 MHz
Base Number Matches：1

DMR935E10R 数据手册

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DMR935E1  
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)  
Silicon epitaxial planar type (CCD load device)  
For CCD output circuits  
Unit: mm  
Features  
Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device)  
High transition frequency fT  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
ꢀMarking Symbol: X4  
Packaging  
DMR935E10R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)  
ꢀAbsolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–24  
Unit  
V
1: Emitter  
2: Base  
4: Source  
5: Drain  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
3: Gate  
6: Collector  
–20  
V
Tr1  
Panasonic  
SSMini6-F3-B  
–3  
V
JEITA  
Code  
SC-107C  
SOT-666  
–50  
mA  
V
Limiting element voltage  
Vmax  
Imax  
40  
CCD  
(C)  
6
(D)  
5
(S)  
load device  
Limiting element current  
10  
mA  
mW  
°C  
°C  
°C  
4
1
Total power dissipation *  
PT  
125  
FET  
Junction temperature  
Tj  
150  
Tr  
Overall  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
–40 to +85  
–55 to +150  
1
2
3
T
stg  
(E)  
(B)  
(G)  
Note) 1: Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm  
*
ꢀElectrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
ꢀTr1  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Base-emitter voltage  
Symbol  
Conditions  
Min  
–24  
–3  
Typ  
Max  
Unit  
V
VCBO IC = –100 µA, IE = 0  
VEBO IE = –10 µA, IC = 0  
V
VBE  
hFE  
fT  
VCE = –10 V, IC = –2 mA  
VCE = –10 V, IC = –2 mA  
VCE = –10 V, IC = –2 mA  
720  
mV  
Forward current transfer ratio  
100  
250  
1
Transition frequency *  
1400  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
ꢀCCD load device  
Parameter  
Pinchi off current  
Output impedance  
Symbol  
Conditions  
VDS = 10 V, VG = 0  
VDS = 10 V, VG = 0  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
mA  
MW  
IP  
3.8  
5.2  
ZO  
0.05  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: February 2014  
Ver. DED  
1
12345

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