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DMR935E2

更新时间： 2024-09-09 20:07:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	457K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSMINI6-F3-B, 6 PIN

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DMR935E2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN FET	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1400 MHz	Base Number Matches：	1

DMR935E2 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DMR935E2

Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)

Silicon epitaxial planar type (CCD load device)

For CCD output circuits

 Features

ꢀPackage

 High transition frequency f_T

ꢀCode

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

SSMini6-F3-B

Package dimension clicks here.→

Click!

 Packaging

ꢀPin Name

DMR935E20R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8000 pcs / reel (standard)

1: Emitter

2: Base

4: Source

5: Drain

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

3: Gate

6: Collector

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–24

Unit

ꢀMarking Symbol: X5

ꢀInternal Connection

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Tr1

–20

Emitter-base voltage (Collector open)

–3

(C)

(D)

(S)

Collector current

–50

Limiting element voltage

Limiting element current

Total power dissipation ^*

V_max

I_max

CCD

FET

load device

°C

P_T

125

(E)

(B)

(G)

Overall Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

stg

–55 to +150

Note) : Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

ꢀTr1

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

Symbol

Conditions

Min

–24

–3

Typ

Max

Unit

V_CBOI_C= –100 µA, I_E= 0

V_EBOI_E= –10 µA, I_C= 0

V_BE

h_FE

f_T

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

720



Forward current transfer ratio

Transition frequency

100

250

1400

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Pulse measurement

ꢀCCD load device

Parameter

Pinchi off current

Output impedance

Symbol

Conditions

V_DS= 8 V, V_G= 0

Min

Typ

Max

Unit

I_P

5.0

7.0

Z_O

0.02

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: February 2012

Ver. CED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DMR935E20R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
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