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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN5010VAK-7
DMN5010VAK-7 PDF预览

DMN5010VAK-7

更新时间： 2024-11-26 12:20:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页 174K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5010VAK-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.64Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN5010VAK-7 数据手册

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DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
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•
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•
•
•
•
•
•
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
•
•
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 5  
Ordering Information: See Page 5  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
Halogen and Antimony Free  
"Green" Device (Note 3)  
•
•
•
ESD Protected up to 2kV  
SOT-563  
D2  
G1  
S1  
D2  
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
G2  
S2  
D1  
DMN5L06VK  
DMN5L06VAK  
DMN5010VAK  
TOP VIEW  
ESD protected up to 2kV  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain Source Voltage  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
V
VDSS  
VDGR  
50  
V
Drain-Gate Voltage RGS ≤ 1.0MΩ  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±40  
V
VGSS  
ID  
IDM  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
280  
1.5  
mA  
A
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
250  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can  
be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
1 of 6  
www.diodes.com  
January 2010  
© Diodes Incorporated  
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK  
Document number: DS30769 Rev. 8 - 2  
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