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DMN4800LSS-13

更新时间： 2024-02-01 14:51:43
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6页 156K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN4800LSS-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：1.66
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN4800LSS-13 数据手册

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DMN4800LSS  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
Low On-Resistance  
•
Case: SOP-8L  
•
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead frame.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 5  
Ordering Information: See Page 5  
Weight: 0.072g (approximate)  
•
•
14mΩ @ VGS = 10V  
20mΩ @ VGS = 4.5V  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
S
D
S
S
G
D
D
D
TOP VIEW  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
30  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
±25  
T
A = 25°C  
Drain Current (Note 3)  
Steady  
State  
9
7
A
A
ID  
TA = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
50  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
Value  
1.46  
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
86  
°C/W  
°C  
Rθ  
J, TSTG  
JA  
-55 to +150  
T
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB, with minimum recommended pad layout.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
1 of 6  
www.diodes.com  
July 2009  
© Diodes Incorporated  
DMN4800LSS  
Document number: DS31736 Rev. 5 - 2  
123456

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