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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DMMT3904-TP
DMMT3904-TP PDF预览

DMMT3904-TP

更新时间： 2024-11-02 12:49:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 217K
描述
NPN Small Signal Transistors

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DMMT3904-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

DMMT3904-TP 数据手册

 浏览型号DMMT3904-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DMMT3904-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DMMT3904-TP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
DMMT3904  
Features  
xꢀ Ultra-small surface mount package  
xꢀ Available in RoHs compliant version  
xꢀ Epitaxial Planar Die Construction  
NPN Small Signal  
Transistors  
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
Marking:K4A  
x
SOT-363  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous (1)  
Power dissipation (1)  
Rating  
40  
Unit  
V
G
C2  
E2  
E1  
60  
V
5.0  
V
C
B
200  
mA  
mW  
OC/W  
OC  
PC  
200  
B2  
B1  
C1  
RTHJA  
TJ  
Thermal Resistance  
625  
A
H
Junction Temperature  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
M
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS (2)  
J
D
L
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VEB(OFF)=3.0Vdc)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VEB(OFF)=3.0Vdc)  
40  
60  
5.0  
---  
---  
---  
---  
50  
50  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DIMENSIONS  
nAdc  
nAdc  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.006  
.045  
.085  
0.15  
1.15  
2.15  
IBL  
---  
B
C
D
G
H
J
ON CHARACTERISTICS(2)  
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
hFE  
DC Current Gain  
(IC=100uAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
40  
70  
---  
---  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
---  
L
100  
60  
300  
---  
M
30  
---  
VCE(sat)  
---  
0.20  
0.30  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
0.65  
---  
0.85  
0.95  
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
w w w.m c c s e m i.c o m  
1 of 4  
Revision: 4  
2008/12/31  
1234

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DMMT3904-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDT3904-TP MCC

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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DMMT3904W_1 DIODES

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 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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