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DMMT3904-TP-HF PDF预览

DMMT3904-TP-HF

更新时间： 2024-11-02 19:57:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 341K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN,

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DMMT3904-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

DMMT3904-TP-HF 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
DMMT3904  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
xꢀ Epitaxial Planar Die Construction  
xꢀ Ultra-small surface mount package  
xꢀ Available in RoHs compliant version  
NPN Small Signal  
Transistors  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
·
Marking:K4A  
SOT-363  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous (1)  
Power dissipation (1)  
Rating  
40  
Unit  
V
G
C2  
E2  
E1  
60  
V
5.0  
V
C
B
200  
mA  
mW  
OC/W  
OC  
PC  
200  
B2  
B1  
C1  
RTHJA  
TJ  
Thermal Resistance  
625  
A
H
Junction Temperature  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
M
K
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS (2)  
J
D
L
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VEB(OFF)=3.0Vdc)  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VEB(OFF)=3.0Vdc)  
40  
60  
5.0  
---  
---  
---  
---  
50  
50  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DIMENSIONS  
nAdc  
nAdc  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.006  
.045  
.085  
0.15  
1.15  
2.15  
IBL  
---  
B
C
D
G
H
J
ON CHARACTERISTICS(2)  
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
hFE  
DC Current Gain  
(IC=100uAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
40  
70  
---  
---  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
---  
L
100  
60  
300  
---  
M
30  
---  
VCE(sat)  
---  
0.20  
0.30  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
0.65  
---  
0.85  
0.95  
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
w w w.m c c s e m i.c o m  
1 of 4  
Revision: B  
2013/01/01  
1234

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与DMMT3904-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMMT3904W DIODES

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 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT3904W PANJIT

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 		SOT-363
DMMT3904W_1 DIODES

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 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT3904W_15 DIODES

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 		40V MATCHED PAIR NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT363
DMMT3904W_2 DIODES

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 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT3904W-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
DMMT3904W-7 DIODES

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 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT3904W-7-F DIODES

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 		MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DMMT3904W-AU PANJIT

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 		SOT-363
DMMT3904WQ DIODES

获取价格

 		Dual NPN, 40V, 0.2A, SOT363

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