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DMC505C0

更新时间： 2024-11-21 19:50:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 443K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI6-F3-B, 6 PIN

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DMC505C0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：0.02 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

DMC505C0 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DMC505C0  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
DMC205C0 in SMini6 type package  
Features  
ꢀPackage  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
ꢀCode  
SMini6-F3-B  
Package dimension clicks here.→  
Click!  
ꢀPin Name  
ꢀBasic Part Number  
1: Emitter (Tr1)  
2: Base (Tr1)  
3: Base (Tr2)  
4: Collector (Tr2)  
5: Emitter (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
Dual DSC2C01 (Individual)  
Packaging  
ꢀMarking Symbol: D6  
ꢀInternal Connection  
DMC505C00R Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
(C1) (E2) (C2)  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
6
5
4
100  
100  
Tr2  
V
Tr1  
15  
V
1
2
3
20  
mA  
mA  
mW  
°C  
(E1) (B1) (B2)  
Peak collector current  
ICP  
50  
Total power dissipation  
PT  
150  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
100  
100  
15  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO IC = 10 µA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 µA, IC = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VCB = 60 V, IE = 0  
VCE = 60 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
0.1  
1
µA  
µA  
400  
1200  
0.20  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 1 mA  
fT VCE = 10 V, IC = 2 mA  
0.05  
140  
V
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: February 2012  
Ver. CED  
1
123

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