Datasheet > DMC506E20R

DMC506E20R

更新时间： 2024-11-21 12:32:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	309K
描述
For high-frequency amplification DMC206E2 in SMini6 type package

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DMC506E20R 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.015 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	65
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	650 MHz	Base Number Matches：	1

DMC506E20R 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DMC506E2

Silicon NPN epitaxial planar type

For high-frequency ampliﬁcation

DMC206E2 in SMini6 type package

 Features

ꢀPackage

 High transition frequency f_T

ꢀCode

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

SMini6-F3-B

Package dimension clicks here.→

Click!

ꢀBasic Part Number

ꢀPin Name

Dual DSC2G02 (Individual)

1: Emitter (Tr1)

2: Emitter (Tr2)

3: Base (Tr2)

4: Collector (Tr2)

5: Base (Tr1)

 Packaging

6: Collector (Tr1)

DMC506E20R Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀMarking Symbol: D2

ꢀInternal Connection

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

(C1) (B1) (C2)

Tr2

Tr1

°C

Total power dissipation

P_T

150

(E1) (E2) (B2)

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Base-emitter voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CBOI_C= 10 µA, I_E= 0

V_EBOI_E= 10 µA, I_C= 0

V_BE

h_FE

f_T

V_CE= 6 V, I_C= 1 mA

0.72

Forward current transfer ratio

Transition frequency

V_CE= 6 V, I_C= 1 mA

260



V_CE= 6 V, I_C= 1 mA

450

650

0.6

MHz

Reverse transfer capacitance(Common emitter)

Power gain

C_re

V_CE= 6 V, I_C= 1 mA, f = 10.7 MHz

V_CE= 6 V, I_C= 1 mA, f = 100 MHz

Noise ﬁgure

3.3

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: February 2012

Ver. CED

12 3

中文翻译

下载PDF

与DMC506E20R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DMC-50747NF-AK	OPTREX	获取价格	LCD Module Technical Specification
DMC5501-018	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 5.5dB Noise Figure, Silicon
DMC5501-019	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 5.5dB Noise Figure, Silicon
DMC5501A	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 450ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon
DMC5503CM	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 350ohm Z(V) Max, 5.5dB Noise Figure, Silicon
DMC5504-013	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon
DMC5504C	SKYWORKS	获取价格	Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon
DMC56101	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
DMC561010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DMC561020R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, HALOGEN

与DMC506E20R相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DMC506E20R

DMC506E20R 技术参数

DMC506E20R 数据手册

与DMC506E20R相关器件

与DMC506E20R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DMC506E20R

DMC506E20R 技术参数

DMC506E20R 数据手册

与DMC506E20R相关器件

与DMC506E20R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？