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DMC3036LSD-13

更新时间： 2024-11-21 09:54:03
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美台 - DIODES /
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7页 446K
描述
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMC3036LSD-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9 A最大漏极电流 (ID)：6.9 A
最大漏源导通电阻：0.036 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMC3036LSD-13 数据手册

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DMC3036LSD  
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Features  
Mechanical Data  
•
•
Complementary Pair MOSFETs  
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOP-8L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
•
N-Channel: 36mΩ @ 10V  
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead  
frame. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 6  
Ordering Information: See Page 6  
Weight: 0.072g (approximate)  
61mΩ @ 4.5V  
P-Channel: 36mΩ @ -10V  
64mΩ @ -4.5V  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
•
D2  
D1  
SOP-8L  
D2  
S2  
G2  
S1  
G1  
D2  
D1  
D1  
G2  
G1  
S2  
S1  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
TOP VIEW  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Maximum Ratings N-CHANNEL @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
30  
Unit  
V
Drain Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGSS  
±20  
T
T
A = 25°C  
A = 70°C  
6.9  
5.8  
Drain Current (Note 1)  
A
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
24  
IDM  
Maximum Ratings P-CHANNEL @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
-30  
Unit  
V
Drain Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGSS  
±20  
T
T
A = 25°C  
A = 70°C  
-6  
-5  
Drain Current (Note 1)  
A
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
-21  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
2.5  
Unit  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
°C/W  
°C  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
= 50°C/W.  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, on 2oz. Copper pads with R  
2. No purposefully added lead.  
JA  
θ
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
1 of 7  
www.diodes.com  
October 2008  
© Diodes Incorporated  
DMC3036LSD  
Document number: DS31311 Rev. 4 - 2  
1234567

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DMC3036LSD-13 替代型号

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