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DMC30401 PDF预览

DMC30401

更新时间： 2024-11-21 20:45:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 310K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SSSMINI6-F2-B, 6 PIN

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DMC30401 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.78最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：210JESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

DMC30401 数据手册

 浏览型号DMC30401的Datasheet PDF文件第2页 
DMC30401  
Total pages  
page  
Tentative  
DMC30401  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)  
For general amplification  
Marking Symbol : A8  
Package Code : SSSMini6-F2-B  
Internal Connection  
6
5
4
Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
ICp  
PT  
Tj  
Tstg  
Rating  
60  
50  
7
100  
200  
125  
150  
Unit  
V
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Tr 1  
Tr1  
Tr2  
Tr 2  
3
V
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
Peak collector current  
*1  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
1
2
Overall  
-55 to +150  
Pin name  
Emitter(Tr1)  
1.  
2. Base(Tr1)  
Collector(Tr2)  
4. Emitter(Tr2)  
5. Base(Tr2)  
Note: 1. *1 Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm  
Collector(Tr1)  
6.  
3.  
Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C ±3 °C  
Tr1,Tr2  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Symbol  
Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
V
V
VCBO IC = 10 μA, IE = 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 μA, IC = 0  
ICBO  
ICEO  
hFE  
60  
50  
7
Collector-emitter voltage (Base open)ꢀ*1  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Forward current transfer ratio  
V
VCB = 20 V, IE = 0  
VCE = 10 V, IB = 0  
VCE = 10 V, IC = 2mA  
0.1  
100  
μA  
μA  
-
V
MHz  
210  
460  
0.13 0.3  
150  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA  
fT  
VCE = 10 V, IC = 2 mA  
Collector output capacitance  
(Common base, input open circuited)  
Cob  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
1.5  
pF  
Note: 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring  
methods for transistors.  
2. *1 Pulse measurement  
Packing  
Embossed type (Thermo-compression sealing) R specification : 10 000 pcs / reel  
2010.3.1  
2010.9.27  
Revised  
Prepared  
Semiconductor Company, Panasonic Corporation  
12

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