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DMC364A3

更新时间： 2024-11-21 19:54:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	247K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SSSMINI6-F2, 6 PIN

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DMC364A3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Lifetime Buy
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DMC364A3 数据手册

DMC364A3

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Tentative

DMC364A3

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)

Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)

For digital circuits

Marking Symbol : H6

Package Code : SSSMini6-F2-B

Internal Connection

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

Parameter

Symbol

VCBO

VCEO

Rating

125

Unit

°C

Tr 1

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Tr1

Tr2

Tr 2

Total power dissipation

Overall

Junction temperature

150

-55 to +150

Storage temperature

Tstg

°C

kΩ

Note: 1.

Resistance R1 47

R2 47

*1 Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm

value

Pin name

Emitter(Tr1)

2. Base(Tr1)

Collector(Tr2)

4. Emitter(Tr2)

5. Base(Tr2)

Collector(Tr1)

Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C ±3 °C

Tr1,Tr2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Symbol

VCBO IC = 10 μA, IE = 0

Conditions

Min Typ Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)ꢀ^*1

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

VCEO IC = 2 mA, IB = 0

ICBO

ICEO

IEBO

hFE

VCB = 50 V, IE = 0

VCE = 50 V, IB = 0

VEB = 6 V, IC = 0

0.1

0.5

0.1

μA

VCE = 10 V, IC = 5 mA

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA

Vi(on) VCE = 0.2 V, IC = 5 mA

Vi(off) VCE = 5 V, IC = 100 μA

0.25

3.6

Input voltage

0.8

kΩ

Input resistance

Resistance ratio

-30% 47 +30%

R1/R2

0.8

1.0

1.2

Note: 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring

methods for transistors.

2. *1 Pulse measurement

Packing

Embossed type (Thermo-compression sealing) R specification : 10 000 pcs / reel

2010.3.11

Prepared

2010.9.28

Revised

Semiconductor Company, Panasonic Corporation

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