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DMC364A6 PDF预览

DMC364A6

更新时间： 2024-09-19 14:41:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 247K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SSSMINI6-F2-B, 6 PIN

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DMC364A6 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.125 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMC364A6 数据手册

 浏览型号DMC364A6的Datasheet PDF文件第2页 
DMC364A6  
Total pages  
page  
Tentative  
DMC364A6  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)  
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)  
For digital circuits  
Marking Symbol : N2  
Package Code : SSSMini6-F2-B  
Internal Connection  
6
5
4
Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C  
R1  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
50  
50  
80  
125  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Tr 1  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Tr1  
Tr2  
Tr 2  
3
R1  
*1  
PT  
Total power dissipation  
Overall  
Junction temperature  
Tj  
150  
-55 to +150  
1
2
Storage temperature  
Tstg  
°C  
Resistance  
value  
Note: 1. *1 Measuring on substrate at 17 mm × 10 mm × 1 mm  
4.7  
R1  
kΩ  
Pin name  
1. Emitter(Tr1)  
2. Base(Tr1)  
4. Emitter(Tr2)  
5. Base(Tr2)  
Collector(Tr2)  
Collector(Tr1)  
6.  
3.  
Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C±3 °C  
Tr1,Tr2  
Parameter  
Symbol  
VCBO IC = 10 μA, IE = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
50  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)ꢀ*1  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
50  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
0.1  
0.5  
0.01  
460  
0.25  
μA  
μA  
mA  
-
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
160  
1.0  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA  
Vi(on) VCE = 0.2 V, IC = 5 mA  
Vi(off) VCE = 5 V, IC = 100 μA  
R1  
V
Input voltage  
V
0.4  
Input resistance  
-30% 4.7 +30%  
kΩ  
Note: 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring  
methods for transistors.  
2. *1 Pulse measurement  
Packing  
Embossed type (Thermo-compression sealing) R specification : 10 000 pcs / reel  
2010.3.11  
Prepared  
2010.11.25  
Revised  
Semiconductor Company, Panasonic Corporation  
12

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