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DMB54D0UV-13

更新时间： 2024-09-16 19:57:07
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
7页 122K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element

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DMB54D0UV-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：0.1 A最小直流电流增益 (hFE)：220
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
子类别：Other Transistors端子面层：Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：40VCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

DMB54D0UV-13 数据手册

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DMB54D0UV  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
N-Channel MOSFET and PNP Transistor in One Package  
Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
•
•
Case: SOT563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead frame.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
•
•
•
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
ESD Protected MOSFET Gate up to 2kV  
Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
D2  
B
E
SOT563  
Q1  
Q2  
G2  
S2  
C
Top View  
Internal Schematic  
Top View  
Bottom View  
ESD PROTECTED TO 2kV  
Ordering Information (Note 3)  
Part Number  
DMB54D0UV-7  
DMB54D0UV-13  
Case  
SOT563  
SOT563  
Packaging  
3,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
Notes:  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. No purposely added lead. Halogen and Antimony free  
2. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com.  
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.  
Marking Information  
MB2 = Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y = Year (ex: V = 2008)  
M = Month (ex: 9 = September)  
MB2  
YM  
Date Code Key  
Year  
2008  
2009  
2010  
2011  
2012  
2013  
2014  
2015  
2016  
2017  
Code  
V
W
X
Y
Z
A
B
C
D
E
Month  
Code  
Jan  
1
Feb  
2
Mar  
3
Apr  
4
May  
5
Jun  
6
Jul  
7
Aug  
8
Sep  
9
Oct  
O
Nov  
N
Dec  
D
1 of 7  
www.diodes.com  
March 2012  
© Diodes Incorporated  
DMB54D0UV  
Document number: DS31676 Rev. 5 - 2  
1234567

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与DMB54D0UV-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMB54D0UV-7 DIODES

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS PNP TRANSISTOR
DMB5880-000 SKYWORKS

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 		Mixer Diode, 465ohm Z(V) Max, 7.5dB Noise Figure, Silicon
DMB5880-002 SKYWORKS

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 		Mixer Diode, 465ohm Z(V) Max, 7.5dB Noise Figure, Silicon
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 		Mixer Diode, 465ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon
DMB6411-000 SKYWORKS

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DMB6411AM SKYWORKS

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 		Mixer Diode, 465ohm Z(V) Max, 7dB Noise Figure, Silicon
DMB6411B SKYWORKS

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 		Mixer Diode, 465ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon

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