Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DMA20601

DMA20601

更新时间： 2024-11-18 09:54:03

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	487K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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DMA20601 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

DMA20601 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DMA20601

Silicon PNP epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

 Features

ꢀPackage

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

ꢀCode

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini6-G4-B

ꢀPin Name

1: Emitter (Tr1)

2: Emitter (Tr2)

3: Base (Tr2)

ꢀBasic Part Number

4: Collector (Tr2)

5: Base (Tr1)

Dual DSA2001 (Individual)

6: Collector (Tr1)

 Packaging

ꢀMarking Symbol: B2

ꢀInternal Connection

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

(C1) (B1) (C2)

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–60

Unit

Tr2

–50

Tr1

–7

–100

–200

300

°C

(E1) (E2) (B2)

Peak collector current

I_CP

Total power dissipation

P_T

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–60

–50

–7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

V_CBOI_C= –10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= –10 µA, I_C= 0

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= –20 V, I_E= 0

V_CE= –10 V, I_B= 0

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

– 0.1

–100

460

µA



210

h_FE

(Small/Large)

h_FEratio ^*

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

0.50

0.99



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= –100 mA, I_B= –10 mA

– 0.2

150

– 0.5

f_T

V_CE= –10 V, I_C= –2 mA

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Ratio between 2 elements

Publication date: February 2010

ZJJ00535BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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