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DMA26101

更新时间： 2024-11-05 09:54:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
4页 385K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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DMA26101 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.78其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMA26101 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DMA26101  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Features  
ꢀPackage  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
ꢀCode  
Eco-friendly Halogen-free package  
Mini5-G3-B  
ꢀPin Name  
1: Base (Tr1)  
ꢀBasic Part Number  
4: Collector (Tr2)  
Dual DRA2114E (Common emitter)  
2: Emitter (Common) 5: Collector (Tr1)  
3: Base (Tr2)  
Packaging  
ꢀMarking Symbol: E0  
ꢀInternal Connection  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
(C1)  
5
(C2)  
4
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
Tr1  
Tr2  
–50  
V
R2  
R2  
–100  
mA  
mW  
°C  
R1  
R1  
Total power dissipation  
PT  
300  
1
2
3
Junction temperature  
Tj  
150  
(B1) (E) (B2)  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
R1  
10  
10  
kΩ  
kΩ  
Resistance value  
R2  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
– 0.5  
µA  
µA  
mA  
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
35  
hFE  
(Small/Large)  
hFE ratio *  
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
0.50  
0.99  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.25  
V
V
–2.1  
Input voltage (OFF)  
Input resistance  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
– 0.8  
+30%  
1.2  
V
R1  
–30%  
0.8  
10  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
1.0  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Ratio between 2 elements  
*
Publication date: February 2010  
ZJJ00595BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMA261010R PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MO-178A
DMA26102 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
DMA26103 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
DMA26104 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
DMA261040R PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MO-178A
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