DMA206E1

更新时间： 2024-09-16 09:54:03

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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4页	541K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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DMA206E1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

DMA206E1 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DMA206E1

Silicon PNP epitaxial planar type

For high-frequency ampliﬁcation

 Features

 High transition frequency f_T

ꢀPackage

ꢀCode

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini6-G4-B

ꢀPin Name

1: Emitter (Tr1)

2: Emitter (Tr2)

3: Base (Tr2)

4: Collector (Tr2)

5: Base (Tr1)

ꢀBasic Part Number

Dual DSA2G01 (Individual)

6: Collector (Tr1)

 Packaging

ꢀMarking Symbol: C9

ꢀInternal Connection

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

(C1) (B1) (C2)

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–30

Unit

Tr2

Tr1

–20

–5

(E1) (E2) (B2)

–30

°C

Total power dissipation

P_T

300

Junction temperature

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Base-emitter voltage

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_BE

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA

V_CB= –10 V, I_E= 0

– 0.7

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

– 0.1

–100

–10

µA



V_CE= –20 V, I_B= 0

V_EB= –5 V, I_C= 0

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA

220

h_FE

(Small/Large)

h_FEratio ^*

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA

0.50

0.99



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= –10 mA, I_B= –1 mA

– 0.1

300

f_T

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA

150

MHz

Reverse transfer capacitance

(Common emitter)

C_re

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA, f = 10.7 MHz

1.0

Noise ﬁgure

Z_rb

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA, f = 5 MHz

V_CE= –10 V, I_C= –1 mA, f = 2 MHz

2.8

Reverse transfer impedance

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Ratio between 2 elements

Publication date: September 2010

Ver. AED

12 3 4

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