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DMA24E3

更新时间: 2024-11-21 21:05:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 120000W, 350V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

DMA24E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最大击穿电压:450 V最小击穿电压:400 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-D2
最大非重复峰值反向功率耗散:120000 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压:350 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:SOLDER LUG端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

DMA24E3 数据手册

  

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