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DMA24

更新时间： 2024-09-15 22:29:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		电视双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	178K
描述
IGBTVSTM AC LINE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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DMA24 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.92
最大击穿电压：	450 V	最小击穿电压：	400 V
最大钳位电压：	560 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-D2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	120000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	350 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DMA24 数据手册

8700 E. Thomas Road

Scottsdale, AZ 85252

(480) 941-6300

IGBTVS

AC LINE

TRANSIENT

VOLTAGE

SUPPRESSOR

(FOR IGBT PROTECTION)

Features

Protects From Load Switching In AC Applications

For 120Vac, 240Vac and 440Vac Circuits

Fits Terminal Spacing on Most IGBTs

Fast Clamping – Subnanosecond

•

These devices will protect your IGBT in applications where it is

used in overload protection or switching ac loads. Transient

voltages produced when switching occurs in the positive one-half

of the cycle are clamped below the destruct level of the IGBT.

Unique low inductance shunt path virtually eliminates L(di/dt)

effects. Available as screened device for high reliability

applications. Includes burn-in and environmental tests.

Maximum Ratings @ 25°C

60kw peak pulse power dissipation for 120V @ 1.2/50µs

120kw peak pulse power dissipation for 240V @ 1.2/50µs

240kw peak pulse power dissipation for 440V @ 1.2/50µs

Operating and storage -55°C to +150°C

Shunt path inductance < 20nH

Duty cycle – .01% max.

•

1.00

2.54

•

Hole to

fit 8mm

dia. stud

Electrical Characteristics @ 25°C

AC rms

REVERSE

BREAKDOWN MAXIMUM MAXIMUM MAXIMUM

OPERATING STAND-OFF

VOLTAGE

MIN / MAX

(VBR) NOTE 2

REVERSE CLAMPING PEAK PULSE

MICROSEMI

PART NO.

VOLTAGE

NOMINAL

Vac

NOTE 1

LEAKAGE

VOLTAGE

CURRENT

(IPP) NOTE 3

(V^WM

Vdc

)

0.5

1.25

µA

0.5

1.25

.375

.952

DMA12

DMA24

DMA44

120

240

440

175

350

640

200 / 225

400 / 450

735 / 900

280

560

1120

200

2.00

5.08

Notes:

1.Will withstand high-line conditions of 15% above nominal

voltage.

Dimensions: inches/centimeters

d – Terminals accommodate

23 -28 mm spacing

2.Test current @ 10 mA.

3.Pulse waveform – 1.2 / 50 µs.

CASE: Molded plastic, meets UL 94V-O

POLARITY: Cathode marked with +

INDUCTANCE: Less than 20 nH

TERMINALS: Corrosion resistant with hole spacings

to accommodate most high power IGBTs

Ⅲ Santa Ana: (714) 979-8220 Ⅲ Scottscale: (602) 941-6300 Ⅲ Colorado: (303) 469-2161 Ⅲ Watertown: (617) 926-0404 Ⅲ Chatsworth: (818) 701-4933

Ⅲ Sertech Labs: (617) 924-9280 Ⅲ Ireland: (353) 65-40044 Ⅲ Bombay: (91) 22-832-002 Ⅲ Hong Kong: (852) 2692-1202

Data Sheet MSC0294A 6/3/97

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DMA240YA1600NA	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
DMA240YC1600NA	LITTELFUSE	获取价格	三相桥系列提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
DMA-242	FOTEK	获取价格	Digital meter
DMA24E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 120000W, 350V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
DMA-252	FOTEK	获取价格	Digital meter
DMA-25T	FOTEK	获取价格	Digital meter
DMA26100	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
DMA26101	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
DMA261010R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MO-178A
DMA26102	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type

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