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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 65 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM77S181J | NSC |
获取价格 |
(1024 x 8) 8192-BIT TTL PROMs |
|
| DM77S181J-MIL | NSC |
获取价格 |
IC,PROM,1KX8,TTL,DIP,24PIN,CERAMIC |
|
| DM77S184AJ | TI |
获取价格 |
IC 2K X 4 OTPROM, 60 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Programmable ROM |
|
| DM77S184J | TI |
获取价格 |
2KX4 OTPROM, 70ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18 |
|
| DM77S185AJ | ETC |
获取价格 |
x4 PROM |
|
| DM77S185AJ/883 | TI |
获取价格 |
IC,PROM,2KX4,TTL,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| DM77S185AJ/883B | TI |
获取价格 |
IC,PROM,2KX4,TTL,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| DM77S185AJ/883C | TI |
获取价格 |
IC,PROM,2KX4,TTL,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| DM77S185AJ/A+ | ETC |
获取价格 |
x4 PROM |
|
| DM77S185AJ/B+ | ETC |
获取价格 |
x4 PROM |
|
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