是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOJ, SOJ28,.34 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE/STATIC COLUMN |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SRAM |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | CACHE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.225 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | MOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM2212J1-12L | RAMTRON |
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Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28 | |
DM2212J1-15 | RAMTRON |
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Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 | |
DM2212J1-15I | RAMTRON |
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Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 | |
DM2212J1-15L | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2212J-12 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2212J-12I | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2212J-12L | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2212J-15 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2212J-15I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 | |
DM2212J-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |