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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSOP, TSOP44,.36,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.36,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2213TME-15 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2213TME-20 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223T-12 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223T-12I | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223T-15 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223T-15I | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223T-20 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223TME-15 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2223TME-20 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2233T-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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