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DM2223TME-15

更新时间: 2024-02-08 15:24:01
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 875K
描述
Enhanced DRAM (EDRAM)

DM2223TME-15 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.36,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8端子数量:44
字数:524288 words字数代码:512000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.36,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.225 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DM2223TME-15 数据手册

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