5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP44,.36,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST EDO/STATIC COLUMN |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.36,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2240T2-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2240T3-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2240T3-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2240T3-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2240T3-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2240T3-15I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2240T3-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2242J2-10 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2242J2-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2242J2-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
SMMBT3904LT1G数据手册：参数分析与替代型号推荐
LL4148手册解读：参数分析、产品特性
BSS138DW手册解读：引脚信息、电气参数分析
共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
