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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.34 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | FAST EDO/STATIC COLUMN | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 2K X 4 SRAM | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.225 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | MOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2242J2-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-15I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-15L | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-15I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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