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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP44,.36,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | FAST EDO/STATIC COLUMN | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP44,.36,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | MOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2242J2-10 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-15I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J2-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2242J3-12L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
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