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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.34 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ28,.34 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DM2212T1-12 | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| DM2212T1-12I | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44 |
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| DM2212T1-12L | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
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| DM2212T1-15 | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO44 |
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| DM2212T1-15I | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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| DM2212T1-15L | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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