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DI9945

更新时间： 2024-11-09 20:36:15

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美台 - DIODES		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	74K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SOP-8

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DI9945 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.91
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	235	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DI9945 数据手册

DI9945

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features

High Cell Density DMOS Technology

Low On-State Resistance

High Power and Current Capability

Fast Switching Speed

SO-8

Dim

Min

ꢀ.94

ꢀ.±0

Max

4.19

ꢀ.40

High Transient Tolerance

TOP

VIEW

0.ꢀꢁ1 0.495

±.67

0.ꢁ9

ꢀ.05

1.0±

0.5±7 0.679

0.41 Nominal

0.94

1.09

0.0±5 0.15±

4.ꢀ7

4.ꢀ9

4.6±

4.70

0.9ꢀ9 Nominal

Mechanical Data

All Dimensions in mm

SO-ꢁ Plastic Case

Terminal Connections: See Outline Drawing

and Internal Circuit Diagram above

±5°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

V_DSS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_GSS

±±0

Note 1a Continuous @ T_A= ±5°C

Note 1a Continuous @ T_A= 70°C

Pulsed @ T_A= ±5°C

±ꢀ.5

±±.ꢁ

±10

I_D

P_d

°C

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

Operating and Storage Temperature Range

±.0

Note 1a

Note 1b

Note 1c

1.6

1.0

0.9

P_d

T_j, T_STG

-55 to +150

Thermal Characteristics

Characteristic

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Symbol

R_QJA

Value

7ꢁ

Unit

°C/W

Note 1a

Note 1

R_QJC

Notes:

1. R_QJAis the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance (R_QJC+ R_QCA) where the case thermal reference

is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R_QJCin this instance is 40°C/W but is dependent on the specific

circuit board thermal design.

1a. With 0.5 in of ± oz. copper mounting pad R_{QJA = 7ꢁ°C\W.}

1b. With 0.0± in of ± oz. copper mounting pad R_{QJA = 1±5°C\W.}

1c. With 0.00ꢀ in of ± oz. copper mounting pad R_{QJA = 1ꢀ5°C\W.}

DS11507 Rev.F-4

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DI9945

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