Datasheet > DI9953

DI9953

更新时间： 2024-11-09 20:06:03

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DI9953 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.9 A
最大漏源导通电阻：	0.21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DI9953 数据手册

DI9953

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features

High Cell Density DMOS Technology

Lower On-State Resistance

High Power and Current Capability

Fast Switching Speed

SO-8

Dim

Min

3.94

3.±0

Max

4.19

3.40

High Transient Tolerance

TOP

VIEW

0.381 0.495

±.67

0.89

3.05

1.0±

0.5±7 0.679

0.41 Nominal

0.94

1.09

0.0±5 0.15±

4.37

4.39

4.6±

4.70

0.939 Nominal

Mechanical Data

All Dimensions in mm

SO-8 Plastic Case

Terminal Connections: See Outline Drawing

and Internal Circuit Diagram above

±5°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

V_DSS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-30

V_GSS

±±0

±±.9

±10

Note 1a Continuous

Pulsed

I_D

P_d

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

±.0

°C

Note 1a

Note 1b

Note 1c

1.6

1.0

0.9

P_d

T_j, T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

Characteristic

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Symbol

R_QJA

Value

Unit

°C/W

Note 1a

Note 1

R_QJC

Notes:

1. R_QJAis the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance (R_QJC+ R_QCA) where the case thermal reference

is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R_{QJC in this instance is 40°C/W}but is dependent on the specific

circuit board thermal design.

1a. With 0.5 in of ± oz. copper mounting pad R_{QJA = 78°C\W.}

1b. With 0.0± in of ± oz. copper mounting pad R_{QJA = 1±5°C\W.}

1c. With 0.003 in of ± oz. copper mounting pad R_{QJA = 135°C\W.}

1d. With 1.0 in of ± oz. copper mounting pad, total power dissipation of up to ± W for dual operation can be achieved.

DS11508 Rev.F-4

1 of 4

DI9953

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与DI9953相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DI9956	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, S
DIA01C7245A	ETC	获取价格
DIA01C7485A	ETC	获取价格	Monitoring Relays 1-Phase AC/DC Over Current
DIA01CB235A	ETC	获取价格
DIA01CB485A	ETC	获取价格
DIA20721	DIOO	获取价格	The DIA20721 device is an low power, high precision CMOS operational amplifier for automo
DIA20722	DIOO	获取价格	The DIA20722 device is an low power, high precision CMOS operational amplifier for automot
DIA20724	DIOO	获取价格	The DIA20724 device is an low power, high precision CMOS operational amplifiers for automo
DIA2210	DIOO	获取价格	The DIA2210 is a device integrates a high-side current-sense amplifier, a comparator and a
DIA2211	DIOO	获取价格	The DIA2211 is a device integrates a high-side current-sense amplifier, a comparator and a

与DI9953相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DI9953

DI9953 技术参数

DI9953 数据手册

与DI9953相关器件

与DI9953相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DI9953

DI9953 技术参数

DI9953 数据手册

与DI9953相关器件

与DI9953相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？