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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.6 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DFM1F1 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| DFM1F2 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon |
|
| DFM1F2 | RENESAS |
获取价格 |
1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| DFM1F4 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon |
|
| DFM1F6 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon |
|
| DFM1MF | RENESAS |
获取价格 |
1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| DFM1MF2 | RENESAS |
获取价格 |
1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
|
| DFM1MF2 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon |
|
| DFM1SA1 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| DFM1SA4 | HITACHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 400V V(RRM), Silicon |
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