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DFM1MF2

更新时间： 2024-02-27 20:18:51

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon

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DFM1MF2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.57
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值正向电流：	25 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

DFM1MF2 数据手册

FAST RECOVERY DIODE

DFM1MF

TENTATIVE SPECIFICATION

FEATURES

OUTLINE DRAWING

• For high speed switching

• Soft recovery, low noise.

• Low loss, high efficiency.

Unit in mm(inch)

Direction of polarity

Type mark

Cathode band

Lot mark

0.1MAX

(0.004)

2.0

4.3

(0.08)

(0.17)

4.7

(0.19)

1.2

(0.05)

Weight: 0.05 (g)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Type

DFM1MF2

200

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

V_RRM

Single-phase half sine wave 180° conduction

TL = 130°C

I_F(AV)

I_FSM

T_j

1.0

(

)

25 ( Without PIV, 10ms, conduction Tj = 40°C start )

Surge(Non-Repetitive) Forward Current

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

°C

-40 ~ +150

T_stg

CHARACTERISTICS(T_L=25°C)

Item

Symbols Units

Min. Typ. Max.

Test Conditions

Peak Reverse Current

I_RRM

V_FM

Trr

µA

V_R= V_RRM

I_FM=1.0Ap, Single-phase half

sine wave 1 cycle

Peak Forward Voltage

0.95

Reverse Recovery Time

Steady State Thermal Impedance

I_F=0.5A, I_rp=1.0A, 25%recovery

R_th(j-a)

R_th(j-l)

120

On glass-epoxi substrate (

Soldering land(

50mm)

°C/W

6mm)

PDE-DFM1MF-0

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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