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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> DF3A6.8FV
DF3A6.8FV PDF预览

DF3A6.8FV

更新时间： 2024-11-05 04:38:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).

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DF3A6.8FV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOD包装说明：R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.51Is Samacsys：N
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：25 Ω
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：6.8 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5.88%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

DF3A6.8FV 数据手册

 浏览型号DF3A6.8FV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DF3A6.8FV的Datasheet PDF文件第3页 
DF3A6.8FV  
TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Epitaxial Planar Type  
DF3A6.8FV  
Product for Use Only as Protection against Electrostatic  
Discharge (ESD).  
Unit: mm  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
* This product is for protection against electrostatic discharge (ESD)  
only and is not intended for any other usage, including without  
limitation, the constant voltage diode application.  
1
2
3
•
Because two devices are mounted on an ultra compact package, it is  
possible to allow reducing the number of the parts and the mounting  
cost.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Power dissipation  
Symbol  
Rating  
Unit  
P*  
150  
150  
mW  
°C  
1.CATHODE1  
2.CATHODE2  
3.ANODE  
Junction temperature  
T
j
VESM  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
°C  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
TOSHIBA  
1-1Q1B  
Weight: 0.0015 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
*: Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)  
0.5mm  
0.45mm  
0.45mm  
0.4mm  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Zener voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
I
= 5 mA  
= 5 mA  
6.4  
⎯
6.8  
⎯
7.2  
25  
V
Ω
Z
Z
Z
Dynamic impedance  
Reverse current  
Z
Z
I
V
V
= 5 V  
⎯
⎯
0.5  
μA  
R
R
R
Terminal capacitance  
(between Cathode and Anode)  
C
T
= 0, f = 1MHz  
―
45  
―
pF  
1
2007-11-01  
123

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与DF3A6.8FV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DF3A6.8FV(TL3PAV,Z TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.15W, Silicon, Unidirectional
DF3A6.8FV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		ZENER DIODE,DUAL, THREE TERMINAL, COMMON ANODE,6.8V V(Z),5.9%,SOT-416VAR
DF3A6.8FV,L3F TOSHIBA

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 		Zener Diode
DF3A6.8FVL3F(T TOSHIBA

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 		Zener Diode
DF3A6.8LCT TOSHIBA

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 		暂无描述
DF3A6.8LFE TOSHIBA

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 		Diodes for Protecting Against ESD
DF3A6.8LFE_07 TOSHIBA

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 		Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A6.8LFU TOSHIBA

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 		TOSHIBA Diodes For Protecting Against ESD Epitaxial Planar Type
DF3A6.8LFV TOSHIBA

获取价格

 		Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A6.8UFU TOSHIBA

获取价格

 		DIODE UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, 1-2P1A, USM, 3 PIN, Transient Suppres

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