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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | D4, 6 PIN |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 940 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DE375-102N30-00 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 30A I(D) |
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| DE375-301N35 | IXYS | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, |
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| DE375-301N35-00 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 35A I(D) |
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| DE375-301N40-00 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) |
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| DE375-501N16A | IXYS | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, |
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| DE375-501N21-00 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) |
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