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DE375-501N16A

更新时间： 2024-11-08 19:54:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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DE375-501N16A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76其他特性：AVALANCHE RATED
配置：COMPLEX最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：16 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F4
元件数量：2端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DE375-501N16A 数据手册

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Directed Energy, Inc.  
DE375-501N16A  
RF Power MOSFET  
Preliminary Data Sheet  
An IXYS Company  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Low Qg and Rg  
VDSS  
ID25  
=
=
=
500 V  
16 A  
.5 Ω  
High dv/dt  
RDS(on)  
Symbol  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
Continuous  
Maximum Ratings  
500  
500  
±20  
±30  
16  
V
V
VDSS  
VDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
V
Transient  
V
Tc = 25°C  
A
Tc = 25°C, pulse width limited by TJM  
Tc = 25°C  
128  
16  
A
IDM  
A
IAR  
Tc = 25°C  
20  
mJ  
V/ns  
EAR  
I
S ≤ IDM, di/dt ≤ • 100A/µs, VDD ≤ VDSS,  
5
Tj ≤ 150°C, RG = 0.2Ω  
dv/dt  
IS = 0  
>200 V/ns  
Tc = 25°C  
Tc = 25°C  
300  
3.0  
W
W
°C  
°C  
°C  
°C  
g
PDHS  
PDAMB  
TJ  
Features  
•
Isolated Substrate  
-55…+150  
150  
−
−
−
high isolation voltage (>2500V)  
excellent thermal transfer  
TJM  
Increased temperature and power  
cycling capability  
-55…+150  
300  
Tstg  
1.6mm (0.063 in) from case for 10 s  
•
•
−
−
•
IXYS advanced low Qg process  
Low gate charge and capacitances  
easier to drive  
TL  
2
Weight  
faster switching  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Low RDS(on)  
TJ = 25°C unless otherwise specified  
•
Very low insertion inductance (<2nH)  
min.  
500  
2.5  
typ.  
max.  
Advantages  
VGS = 0 V, ID = 3 ma  
VDS = VGS, ID = 4 ma  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
VDS = 0.8 VDSS TJ = 25°C  
V
V
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
•
Optimized for RF and high speed  
switching at frequencies to 100MHz  
5.5  
•
•
Easy to mount—no insulators needed  
High power density  
±100 nA  
50  
1
IDSS  
µA  
mA  
VGS = 0  
TJ = 125°C  
VGS = 15 V, ID = 0.5ID25  
Pulse test, t ≤ 300µS, duty cycle d ≤ 2%  
.5  
RDS(on)  
gfs  
Ω
VDS = 15 V, ID = 0.5ID25, pulse test  
2
6
S
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DE375-501N21-00 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 21A I(D)
DE375-501N21A IXYS

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 		RF Power MOSFET
DE375-501N21A_09 IXYS

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 		RF Power MOSFET
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 		RF Power Field-Effect Transistor
DE37S364150LF AMPHENOL

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