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DE375-501N21A_09

更新时间： 2024-11-10 10:02:07
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描述
RF Power MOSFET

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DE375-501N21A  
RF Power MOSFET  
♦ꢁ N-Channel Enhancement Mode  
♦ꢁ Low Qg and Rg  
♦ꢁ High dv/dt  
♦ꢁ Nanosecond Switching  
♦ꢁ 50MHz Maximum Frequency  
VDSS  
ꢀ
=
=
=
=
500 V  
25 A  
ID25ꢀ  
RDS(on)ꢀ  
PDCꢀ  
0.35 ꢀ  
940 W  
Symbol  
VDSS  
VDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
IDM  
IAR  
EAR  
Test Conditions  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀRGSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ  
Continuousꢀ  
Maximum Ratings  
ꢀ
500ꢀ  
500ꢀ  
±20ꢀ  
±30ꢀ  
25ꢀ  
Vꢀ  
ꢀ
V
Vꢀ  
ꢀ
Transientꢀ  
ꢀ
Vꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
ꢀ
Aꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀTJMꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
ꢀ
150ꢀ  
21ꢀ  
Aꢀ  
ꢀ
Aꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
ꢀ
30ꢀ  
mJꢀ  
ISꢀ≤ꢁIDM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁꢀ100A/ꢂs,ꢀVDDꢀ≤ꢀVDSS,ꢀꢀ  
Tjꢀ≤ꢀ150°C,ꢀRGꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ  
5ꢀ V/nsꢀ  
dv/dt  
ISꢀ=ꢀ0ꢀ  
ꢀ
>200ꢀ V/nsꢀ  
DRAIN  
PDC  
ꢀ
940ꢀ  
425ꢀ  
Wꢀ  
Wꢀ  
GATE  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀ  
Derateꢀ3.7W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ  
PDHS  
ꢀ
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
PDAMB  
ꢀ
4.5ꢀ  
Wꢀ  
ꢀ
ꢀ
RthJC  
ꢀ
0.16ꢀ C/Wꢀ  
0.36ꢀ C/Wꢀ  
SG1 SG2  
SD1  
SD2  
RthJHS  
ꢀ
Features  
•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ  
−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecifiedꢀꢀꢀ  
ꢀ
min.  
500ꢀ  
typ.  
max. ꢀ  
−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ3ꢀmaꢀ  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
IDSS  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Vꢀ  
Vꢀ  
cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀVGS,ꢀIDꢀ=ꢀ250ꢀꢁaꢀ  
•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀlowꢀQgꢀprocessꢀ  
•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ  
−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ  
ꢀ
3.5ꢀ  
4.6ꢀ  
5.5ꢀ  
VGSꢀ=ꢀ±20ꢀVDC,ꢀVDSꢀ=ꢀ0ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
±100ꢀ nAꢀ  
VDSꢀ=ꢀ0.8ꢀVDSSꢀTJꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀTJꢀ=ꢀ125°Cꢀꢀ  
ꢀ
−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ  
ꢀ
50ꢀ  
1ꢀ  
ꢂAꢀ  
mAꢀ  
•ꢁ LowꢀRDS(on)  
ꢀ
•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ  
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25  
Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ  
ꢀ
RDS(on)  
ꢀ
ꢀ
0.35ꢀ  
ꢀꢀ  
•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀhazꢂ  
ardousꢀmaterialsꢀꢀ  
ꢀ
VDSꢀ=ꢀ100ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25,ꢀpulseꢀtestꢀ  
gfsꢀ  
TJꢀ  
6.5ꢀ  
7.6ꢀ  
ꢀ
9.0ꢀ  
Sꢀ  
Advantages  
ꢀ
ꢂ55ꢀ  
+175ꢀ °Cꢀꢀ  
°Cꢀꢀ  
+175ꢀ °Cꢀꢀ  
•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ  
switchingꢀatꢀfrequenciesꢀtoꢀ50MHzꢀ  
ꢀ
TJM  
Tstg  
TLꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
175ꢀ  
ꢀ
ꢀ
•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ  
•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ  
ꢀ
ꢂ55ꢀ  
ꢀ
1.6mmꢀ(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
300ꢀ  
3ꢀ  
ꢀ
ꢀ
°Cꢀꢀ  
gꢀ  
Weightꢀ  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DE375-501N30A IXYS

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 		RF Power Field-Effect Transistor
DE37S364150LF AMPHENOL

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 		D Type Connector, 37 Contact(s), Female, 0.109 inch Pitch, Solder Terminal, Locking
DE3B3E2102JA2 MURATA

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