是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | MODULE-4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 2.54 | 其他特性: | UL APPROVED |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 2.35 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 1200 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
参考标准: | IEC-61140 | 最大重复峰值反向电压: | 1200 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DD1200S17H4_B2 | INFINEON |
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IGBT-Module | |
DD1200S17H4B2BOSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4 | |
DD1200S17H4B2BOSA2 | INFINEON |
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Rectifier Diode, | |
DD1200S33K2 | ETC |
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IGBT Module | |
DD1200S33K2B5 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, | |
DD1200S33K2C | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4 | |
DD1200S33K2CB3NOSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, | |
DD1200S33K2CB3S2NDSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, | |
DD1200S33K2CNOSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4 | |
DD1200S33KL2C_B5 | EUPEC |
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IGBT-modules |