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DD1200S17H4B2BOSA2

更新时间： 2024-09-24 14:33:15

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	822K
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Rectifier Diode,

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DD1200S17H4B2BOSA2 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	24 weeks	风险等级：	5.69
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	Base Number Matches：	1

DD1200S17H4B2BOSA2 数据手册

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テクニカルインフォメーションꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-モジュール

IGBT-Module

DD1200S17H4_B2

IHM-Bꢀモジュール

IHM-Bꢀmodule

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 1200A / I_CRM= 2400A

一般応用

TypicalꢀApplications

• 3-level-applications

• Activeꢀfrontendꢀ(energyꢀrecovery)

• Highꢀpowerꢀconverters

• Multiꢀlevelꢀinverter

• 3レベルꢁアプリケーション

• アクティブフロントエンド（エネルギー回制）

• ハイパワーコンバータ

• マルチレベルインバータ

• 電鉄駆動

• Tractionꢀdrives

• 風力タービン

• Windꢀturbines

電気的特性

ElectricalꢀFeatures

• 拡張された動作温度ꢀT_vjꢀop

• 高い電流密度

• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀT_vjꢀop

• Highꢀcurrentꢀdensity

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

機械的特性

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1分ꢁ絶縁耐圧

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation

• サーマルサイクル耐量を増加するAlSiCベースプレート

• AlSiC base plate for increased thermal cycling

capability

• CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 長い縁面/空間距離

• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances

• 高いパワー/サーマルサイクル耐量

• 高いパワー密度

• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability

• Highꢀpowerꢀdensity

• IHMꢀBꢀハウジング

• IHMꢀBꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀIB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-01-21

revision:ꢀV3.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7

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与DD1200S17H4B2BOSA2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD1200S33K2	ETC	获取价格	IGBT Module
DD1200S33K2B5	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon,
DD1200S33K2C	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD1200S33K2CB3NOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
DD1200S33K2CB3S2NDSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
DD1200S33K2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD1200S33KL2C_B5	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
DD1200S45KL3_B5	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation
DD1200S45KL3B5NOSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 4500V V(RRM), Silicon, MODULE-4
DD-120K	ETC	获取价格	MINIATURE CONFORMAL COATED POWER INDUCTOR SERIES DD

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