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DD1200S33K2CNOSA1

更新时间： 2024-09-25 20:05:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	245K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-4

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DD1200S33K2CNOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	MODULE-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.7	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	3.5 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1200 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	2400000 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	3300 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DD1200S33K2CNOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

DD1200S33K2C

Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_RRM

I_F

I_FRM

I²t

P_RQM

t_{on min}

ꢀ

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

ꢀ

1200

2400

500

PeriodischerꢀSpitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

t_P= 1 ms

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

ꢀ kA²s

ꢀ kW

ꢀ µs

Spitzenverlustleistung

Maximumꢀpowerꢀdissipation

T_vj= 125°C

2400

10,0

Mindesteinschaltdauer

Minimumꢀturn-onꢀtime

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 1200 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,80 3,50

V_F

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 1200 A, - di_F/dt = 6800 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

1700

2000

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

ꢀ

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 1200 A, - di_F/dt = 6800 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

710

1300

µC

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 1200 A, - di_F/dt = 6800 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

735

1550

V_R= 1800 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

12,0

ꢀ

17,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

125

°C

preparedꢀby:ꢀSB

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ3.1

approvedꢀby:ꢀDTS

12 3 4 5 6

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