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DA6X102S PDF预览

DA6X102S

更新时间： 2024-11-21 21:17:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC ISM频段测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 451K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI6-G4-B, 6 PIN

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DA6X102S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.69配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTRE TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：15 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：MIXER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
频带：VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向电流：0.1 µA最大反向恢复时间：0.01 µs
反向测试电压：80 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DA6X102S 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DA6X102S  
Silicon epitaxial planar type  
For high speed switching circuits  
ꢀPackage  
Features  
ꢀCode  
Short reverse recovery time trr  
Low terminal capacitance Ct  
Mini6-G4-B  
ꢀPin Name  
1: Cathode-1  
2: Cathode-2  
3: Anode-3, 4  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
4: Cathode-3  
5: Cathode-4  
6: Anode-1, 2  
ꢀBasic Part Number  
Dual DA3X102D (Individual)  
ꢀMarking Symbol: 30  
Packaging  
ꢀInternal Connection  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
6
1
5
2
4
3
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
80  
Unit  
V
Reverse voltage  
Maximum peak reverse voltage  
Forward current  
VRM  
IF  
80  
V
100  
mA  
mA  
mA  
°C  
1
Peak forward current *  
IFM  
225  
2
Non-repetitive peak forwardsurgecurrent*  
IFSM  
Tj  
500  
Junction temperature  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Note) 1: Value for single diode  
*
2: 1 t = 1 s  
*
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Forward voltage  
Reverse voltage  
Reverse current  
VF  
VR  
IR  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
VR = 80 V  
1.2  
80  
V
100  
15  
nA  
pF  
ns  
Terminal capacitance  
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
Reverse recovery time *  
trr  
IF = 10 mA, VR = 6 V, Irr = 0.25 × IR  
10  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz  
3. : trr measurement circuit  
*
Input Pulse  
tp  
Output Pulse  
trr  
Bias Application Unit (N-50BU)  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
I
rr = 0.25 ×  
F = 10 mA  
VR = 6 V  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
I
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
Publication date: April 2010  
ZKF00143BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DA6X102S0R PANASONIC

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