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D60T506010

更新时间: 2024-02-16 00:01:23
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 916K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | STUD

D60T506010 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):10最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):885 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

D60T506010 数据手册

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