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D60VC20_06

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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描述
Silicon-Twin-Rectifiers

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D60VC20_06 数据手册

D60VC20 ... D60VC120

Version 2005-04-26

D60VC20 ... D60VC120

Silicon-Twin-Rectifiers

Silizium-Doppeldiode

Nominal current

Nennstrom

60 A

60...800 V

6.3

0.8

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

Type

Plastic case with alu-bottom

Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

28.5 x 28.5 x 10 [mm]

23 g

24.3^±0.2

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 5.2

Standard packaging bulk

Standard Lieferform lose im Karton

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V] ¹)

D60VC20

D60VC40

D60VC60

D60VC80

D60VC100

D60VC120

200

400

200

400

600

800

1000

1200

1000

1200

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

per diode

'pro Diode

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

60 A ²)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25°C

t = 1 min

120 A ²)

450/500 A

1000A²s

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Isolation voltage terminals to case

V_ISO

≥ 2000 V

Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

Per diode – Pro Diode

Max. case temperature T_C= 100°C – Max. Gehäusetemperatur T_C= 100°C

http://www.diotec.com/

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