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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 885 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D60T753005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | 30A I(C) | STUD |
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| D60T754005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | 40A I(C) | STUD |
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| D60T755005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | STUD |
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| D60T756005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 750V V(BR)CEO | STUD |
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| D60T803005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 30A I(C) | STUD |
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| D60T804005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 40A I(C) | STUD |
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| D60U06 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-2 |
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| D60U08 | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 800V V(RRM), Silicon, DIE-2 |
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| D60U10R | VMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, Silicon, DIE-1 |
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| D60V0L4B10LP | DIODES |
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4 CHANNEL LOW CAPACITANCE TVS DIODE ARRAY |
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