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D60VC120

更新时间： 2024-11-14 22:08:31

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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描述
Silicon-Twin Rectifiers

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D60VC120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PUFM-X4	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	COMPLEX
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	500 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-50 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向电流：	100 µA
反向测试电压：	1200 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

D60VC120 数据手册

D60 VC20 … D60 VC120

Silicon-Twin Rectifiers

Silizium-Doppeldioden

Nominal current

Nennstrom

60 A

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

60…800 V

Plastic case with alu-bottom

Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

Dimensions

28.5 x 28.5 x 10 [mm]

Abmessungen

Weight approx.

Gewicht ca.

23 g

Compound has classification UL94V-0

Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

see page 22

s. Seite 22

Standard Lieferform: lose im Karton

Dimensions / Maße in mm

Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067

Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

D60 VC20

D60 VC40

D60 VC60

D60 VC80

D60 VC100

D60 VC120

200

400

600

800

1000

1200

200

400

600

800

1000

1200

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

I_FRM

120 A ²)

450 A

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

T_A= 25ꢀC

I_FSM

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms

Isolation voltage – Isolationsspannung

T_A= 25ꢀC

i²t

1000 A²s

> 2000 V

t = 1 min

V_ISO

T_j

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+150ꢀC

)

Valid per diode – Gültig pro Diode

Max. case temperature T_C= 100ꢀC – Max. Gehäusetemperatur T_C= 100ꢀC

11.02.2003

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