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D60VC100

更新时间: 2024-11-14 22:08:31
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德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管测试IOT局域网
页数 文件大小 规格书
2页 172K
描述
Silicon-Twin Rectifiers

D60VC100 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:PLASTIC PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X4湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:2
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:60 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:100 µA反向测试电压:1000 V
子类别:Other Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

D60VC100 数据手册

 浏览型号D60VC100的Datasheet PDF文件第2页 
D60 VC20 … D60 VC120  
Silicon-Twin Rectifiers  
Silizium-Doppeldioden  
Nominal current  
Nennstrom  
60 A  
Alternating input voltage  
Eingangswechselspannung  
60…800 V  
Plastic case with alu-bottom  
Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden  
Dimensions  
28.5 x 28.5 x 10 [mm]  
Abmessungen  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
23 g  
Compound has classification UL94V-0  
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging: bulk  
see page 22  
s. Seite 22  
Standard Lieferform: lose im Karton  
Dimensions / Maße in mm  
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067  
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V] 1)  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRRM [V] 1)  
D60 VC20  
D60 VC40  
D60 VC60  
D60 VC80  
D60 VC100  
D60 VC120  
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
IFRM  
120 A 2)  
450 A  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
TA = 25C  
IFSM  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Isolation voltage – Isolationsspannung  
TA = 25C  
i2t  
1000 A2s  
> 2000 V  
t = 1 min  
VISO  
Tj  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50…+150C  
TS – 50…+150C  
1
)
)
Valid per diode – Gültig pro Diode  
Max. case temperature TC = 100C – Max. Gehäusetemperatur TC = 100C  
2
1
11.02.2003  

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