生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-XXDB-X3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
集电极-发射极最大电压: | 400 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 10 | JESD-30 代码: | O-XXDB-X3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 885 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | NICKEL | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UNSPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 10 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
D60T454010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | STUD |
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D60T455010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | STUD |
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D60T456010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | STUD |
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D60T457510 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | STUD |
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D60T459010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | STUD |
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D60T504010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | STUD |
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D60T505010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | STUD |
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D60T506010 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | STUD |
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D60T507510 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | STUD |
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D60T605005 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | STUD |
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