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D44H8BU

更新时间： 2024-09-26 17:01:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 342K
描述
10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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D44H8BU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.81外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

D44H8BU 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver  
stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.  
*Motorola Preferred Device  
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60, 80 VOLTS  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
= 1.0 V (Max) @ 8.0 A  
Fast Switching Speeds  
V
CE(sat)  
•
•
Complementary Pairs Simplifies Designs  
MAXIMUM RATINGS  
D44H or D45H  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Adc  
8
10, 11  
80  
V
CEO  
60  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
10  
20  
Total Power Dissipation  
P
Watts  
C
D
@ T = 25 C  
50  
1.67  
C
@ T = 25 C  
A
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
2.5  
75  
Unit  
C/W  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
R
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds  
(1) Pulse Width 6.0 ms, Duty Cycle 50%.  
T
L
275  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
J
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
DC Current Gain  
D44H10  
D45H10  
h
FE  
35  
—
—
—
—
—
(V  
CE  
= 1.0 Vdc, I = 2.0 Adc)  
C
60  
20  
40  
D44H8,11  
D44H8,11  
(V  
CE  
= 1.0 Vdc, I = 4.0 Adc)  
D44H10  
D45H10  
C
D44H8,11  
D45H8,11  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
3–411  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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与D44H8BU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D44H8BV ONSEMI

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 		TRANSISTOR 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
D44H8C MOTOROLA

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 		10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D44H8D1 MOTOROLA

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 		10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D44H8-DR6259 RENESAS

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 		10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
D44H8DW ONSEMI

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 		TRANSISTOR 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
D44H8G ONSEMI

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 		Complementary Silicon Power Transistors
D44H8G STMICROELECTRONICS

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 		Complementary Silicon Power Transistors
D44H8J69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
D44H8-J69Z TI

获取价格

 		8A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
D44H8L MOTOROLA

获取价格

 		10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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