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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 300 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Memory ICs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D2186-35S7572 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 350ns, MOS, CDIP28 |
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| D2186A | INTEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, DIP-28 |
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| D2186A-25 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |
|
| D2186A-30 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 300ns, MOS, CDIP28 |
|
| D2186A-35 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 350ns, MOS, CDIP28 |
|
| D2187A-25 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| D2187A-30 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| D2187A-35 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 350ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
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| D218E | MPD |
获取价格 |
Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters |
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| D218EI | MPD |
获取价格 |
Low Cost, 2W SIP High Isolation DC/DC Converters |
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