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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | INTEGRATED RAM | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| 长度： | 37.084 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D2186A-25 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 250ns, MOS, CDIP28 |
|
| D2186A-30 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 300ns, MOS, CDIP28 |
|
| D2186A-35 | INTEL |
获取价格 |
DRAM, 8KX8, 350ns, MOS, CDIP28 |
|
| D2187A-25 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 250ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| D2187A-30 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 300ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| D2187A-35 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 350ns, NMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| D218E | MPD |
获取价格 |
Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters |
|
| D218EI | MPD |
获取价格 |
Low Cost, 2W SIP High Isolation DC/DC Converters |
|
| D218ERU | MPD |
获取价格 |
Low Cost, 4:1 Input Miniature, 2W SIP DC/DC Converters |
|
| D218ERW | MPD |
获取价格 |
Low Cost, Miniature 2W SIP, Wide Input DC/DC Con vert ers |
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