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D2200N24TVFHOSA1

更新时间： 2024-11-30 20:11:23

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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8页	240K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2200A, 2400V V(RRM), Silicon,

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D2200N24TVFHOSA1 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.71
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.3 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	35000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	2200 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压：	2400 V	最大反向电流：	150000 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

D2200N24TVFHOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2200N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

2000 V

2200 V

2400 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

4900 A

maximum RMS on-state current

T_C= 100 °C

Dauergrenzstrom

2200 A

3150 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

average on-state current

4950 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

41000 A

35000 A

8405 10³A²s

6125 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 9,4 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,0 kA

v_F

max.

2,3 V

1,2 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,83 V

mΩ

0,145

Ersatzwiderstand

slope resistance

-4,860E-01

1,750E-04

2,311E-01

-9,977E-03

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

600 A ≤ i_F≤ 11000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

150 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,0169 °C/W

max. 0,0160 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

beidseitig / two-sided

max.

°C/W

0,0050 °C/W

einseitig / single-sided

160

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

-40...+160 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2009-06-15

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

A 18/09

1/8

IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann

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