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D2201

更新时间： 2024-01-07 17:46:37

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2页	18K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D2201 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	其他特性：	LOW NOISE
最小漏源击穿电压：	40 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

D2201 数据手册

TetraFET

D2201UK

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

(typ)

2.5W – 12.5V – 1GHz

SINGLE ENDED

(2 pls)

FEATURES

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• LOW C

rss

PIN 1

PIN 3

SOURCE

GATE

PIN 2

DRAIN

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE

DIM

16.51

6.35

45°

3.30

18.92

1.52

2.16

14.22

1.52

6.35

0.13

5.08

Tol.

0.25

0.13

5°

0.13

0.08

0.13

0.08

0.13

0.03

0.51

Inches

Tol.

0.650

0.250

45°

0.010

0.005

5°

• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM

0.130

0.745

0.060

0.085

0.560

0.060

0.250

0.005

0.200

0.005

0.003

0.005

0.003

0.005

0.001

0.020

APPLICATIONS

• VHF/UHF COMMUNICATIONS

from 1 MHz to 2 GHz

1.27 x 45° 0.13 0.050 x 45° 0.005

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

17.5W

40V

Drain – Source Breakdown Voltage

Gate – Source Breakdown Voltage

Drain Current

DSS

GSS

±20V

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 12/00

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与D2201相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
D22012B	NKK	General Specifications	获取价格
D22012H	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LB	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LH	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LP	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LV	NKK	General Specifications	获取价格